ICB12L50N10PO jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ICB12L50N10PO, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ICB12L50N10PO przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ICB12L50N10PO z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ICB12L50N10PO
- Part Number:
- ICB12L50N10PO
- Producent:
- Carlo Gavazzi
- Opis:
- IND PROX M12 CAB PNP NO
- Wielkość zbiorów:
- 31199 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ICB12L50N10PO.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 36 V |
| Termination Style: | Cable |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | ICB |
| Typ czujnika: | Inductive |
| Zasięg: | 0.394" (10mm) |
| Pasmo przenoszenia: | 2kHz |
| Package / Case: | Cylinder, Threaded - M12 |
| Typ wyjścia: | PNP-NO, 4-Wire |
| Inne nazwy: | 1864-1952 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 70°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Materiał - Ciało: | Nickel-Plated Brass |
| Stopień ochrony: | IP67 |
| Wskaźnik: | LED |
| szczegółowy opis: | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ICB12L50N10PO
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen