HTE18-N2B1BH jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HTE18-N2B1BH, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HTE18-N2B1BH przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HTE18-N2B1BH z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HTE18-N2B1BH
- Part Number:
- HTE18-N2B1BH
- Producent:
- SICK
- Opis:
- SEN PHT NPN LO M8-3 PGTL
- Wielkość zbiorów:
- 42985 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HTE18-N2B1BH.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Seria: | SureSense |
| Metoda pomiaru: | Proximity |
| Zasięg: | 0.197" ~ 39.370" (5mm ~ 1m) |
| Czas odpowiedzi: | 500µs |
| Konfiguracja wyjściowa: | NPN |
| Inne nazwy: | 1081110 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 70°C (TA) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| Źródło światła: | Infrared (880nm) |
| Stopień ochrony: | IP67 |
| Metoda połączenia: | Cable with Connector |
| Długość kabla: | 5.906" (150.00mm) |
| Typ regulacji: | Adjustable, Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HTE18-N2B1BH
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS