HSMP-386J-TR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HSMP-386J-TR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HSMP-386J-TR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HSMP-386J-TR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HSMP-386J-TR2G
- Part Number:
- HSMP-386J-TR2G
- Producent:
- Avago Technologies (Broadcom Limited)
- Opis:
- DIODE PIN SWITCH 100V QFN 2X2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39743 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HSMP-386J-TR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 100V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-QFN (2x2) |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 770 mOhm @ 50mA, 100MHz |
| Strata mocy (max): | 2W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | PIN - 4 Pair Parallel |
| szczegółowy opis: | RF Diode PIN - 4 Pair Parallel 100V 1A 2W 8-QFN (2x2) |
| Obecny - Max: | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 1.25pF @ 50V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HSMP-386J-TR2G
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen