HSA25R10J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HSA25R10J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HSA25R10J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HSA25R10J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HSA25R10J
- Part Number:
- HSA25R10J
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES CHAS MNT 0.1 OHM 5% 25W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41892 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.HSA25R10J.pdf2.HSA25R10J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 25W |
| Grubość (maks): | ±50ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.142" L x 1.102" W (29.00mm x 28.00mm) |
| Seria: | HS, CGS |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial, Box |
| Inne nazwy: | 7-1625971-8 7-1625971-8-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 200°C |
| Liczba rezystorów: | Aluminum |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | HSA25R10J |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.591" (15.00mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | Solder Lugs |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Opis: | RES CHAS MNT 0.1 OHM 5% 25W |
| Okładziny, Typ obudowy: | Wirewound |
| Body Material: | Flanges |
| Pasmo: | 0.1 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HSA25R10J
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?