HRG3216P-1130-B-T5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HRG3216P-1130-B-T5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HRG3216P-1130-B-T5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HRG3216P-1130-B-T5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HRG3216P-1130-B-T5
- Part Number:
- HRG3216P-1130-B-T5
- Producent:
- Susumu
- Opis:
- RES SMD 113 OHM 0.1% 1W 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59553 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HRG3216P-1130-B-T5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 1W |
| Napięcie - Podział: | 1206 |
| Grubość (maks): | ±25ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.065" W (3.20mm x 1.65mm) |
| Seria: | HRG |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 1206 (3216 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | HRG3216P-1130-B-T5 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.022" (0.55mm) |
| cechy: | Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 113 Ohm ±0.1% 1W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant Thin Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES SMD 113 OHM 0.1% 1W 1206 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thin Film |
| Pasmo: | 113 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HRG3216P-1130-B-T5
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku