HN2D03F(TE85L,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HN2D03F(TE85L,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HN2D03F(TE85L,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HN2D03F(TE85L,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HN2D03F(TE85L,F)
- Part Number:
- HN2D03F(TE85L,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52910 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HN2D03F(TE85L,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.3V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 400V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SM6 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 500ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-74, SOT-457 |
| Inne nazwy: | HN2D03F(TE85LF)TR HN2D03FTE85LF |
| Temperatura pracy - złącze: | 150°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 3 Independent |
| szczegółowy opis: | Diode Array 3 Independent Standard 400V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 400V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HN2D03F(TE85L,F)
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM