HM78D-1210470MLFTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HM78D-1210470MLFTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HM78D-1210470MLFTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HM78D-1210470MLFTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HM78D-1210470MLFTR
- Part Number:
- HM78D-1210470MLFTR
- Producent:
- TT Electronics
- Opis:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 47UH SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59395 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HM78D-1210470MLFTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Stosowanie: | Shielded |
| Test indukcyjności - połączone szeregowo: | 2 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| Seria: | HM78D |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 987-1454-2 HM78D1210470MLFTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | 260 mOhm Max |
| Numer części producenta: | HM78D-1210470MLFTR |
| Indukcyjność - połączone równolegle: | 188µH |
| Wysokość: | 0.413" (10.50mm) |
| Rozszerzony opis: | Shielded Coil Inductor Array Inductance - Connected in Series Inductance - Connected in Parallel 65 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | INDUCT ARRAY 2 COIL 47UH SMD |
| Oporność DC (DCR) - Seria: | 65 mOhm Max |
| Opór DC (DCR) - równoległy: | 2.75A |
| Aktualne nasycenie - serie: | 5.5A |
| Obecne nasycenie - równolegle: | 950mA |
| Current Rating - Seria: | 1.9A |
| Współczynnik natężenia prądu - równoległy: | 47µH |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HM78D-1210470MLFTR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia