HI2220T101R-10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HI2220T101R-10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HI2220T101R-10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HI2220T101R-10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HI2220T101R-10
- Part Number:
- HI2220T101R-10
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE BEAD 100 OHM 2220 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23390 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm) |
| Seria: | HI |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2220 (5650 Metric) |
| Inne nazwy: | 240-2431-2 HI2220T101R10 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 100 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.081" (2.05mm) |
| Rodzaj filtra: | Power, Signal Line |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 6 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HI2220T101R-10
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen