HD3SS3212IRKSR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HD3SS3212IRKSR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HD3SS3212IRKSR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HD3SS3212IRKSR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HD3SS3212IRKSR
- Part Number:
- HD3SS3212IRKSR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC MUX 2:1 8 OHM 20VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33355 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HD3SS3212IRKSR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-VQFN (4.5x2.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-42306-1 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 8 Ohm |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | USB Switch IC 2 Channel 20-VQFN (4.5x2.5) |
| Aplikacje: | USB |
| 3dB Pasmo: | 8GHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HD3SS3212IRKSR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS