HCPL0730R1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HCPL0730R1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HCPL0730R1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HCPL0730R1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HCPL0730R1
- Part Number:
- HCPL0730R1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- OPTOCOUPLER DARL 2CHAN 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59361 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HCPL0730R1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 7V |
| Napięcie - Izolacja: | 2500Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.35V |
| Vce Nasycenie (Max): | - |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 2µs, 7µs |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO Tall |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Darlington |
| Inne nazwy: | HCPL0730R1_NLCT HCPL0730R1_NLCT-ND HCPL0730R1CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Darlington Output 2500Vrms 2 Channel 8-SO Tall |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 300% @ 1.6mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | 5000% @ 1.6mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 60mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HCPL0730R1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia