HB13M0FZRE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla HB13M0FZRE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla HB13M0FZRE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup HB13M0FZRE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
HB13M0FZRE
- Part Number:
- HB13M0FZRE
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES 3.00M OHM 2W 1% RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54531 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HB13M0FZRE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Radial Lead |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
| Seria: | HB, CGS |
| Tryb panel: | 3 MOhms |
| Moc (W): | 2W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 2-1625958-9 2-1625958-9-ND 216259589 A105570 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.409" (10.40mm) |
| cechy: | High Voltage, Pulse Withstanding |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 3 MOhms ±1% 2W Through Hole Resistor Radial High Voltage, Pulse Withstanding Thick Film |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HB13M0FZRE
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM