H8113RBYA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla H8113RBYA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla H8113RBYA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup H8113RBYA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
H8113RBYA
- Part Number:
- H8113RBYA
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES 113 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31762 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.H8113RBYA.pdf2.H8113RBYA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.25W, 1/4W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±15ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
| Seria: | Holco, Holsworthy |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | 1879663-3 1879663-3-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | H8113RBYA |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Pulse Withstanding |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 113 Ohm ±0.1% 0.25W, 1/4W Through Hole Resistor Axial Pulse Withstanding Metal Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES 113 OHM 1/4W 0.1% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Film |
| Pasmo: | 113 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do H8113RBYA
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego