H21B1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla H21B1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla H21B1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup H21B1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
H21B1
- Part Number:
- H21B1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45580 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- H21B1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 30V |
| Rodzaj: | Unamplified |
| Seria: | - |
| Metoda pomiaru: | Transmissive |
| Zasięg: | 0.118" (3mm) |
| Czas odpowiedzi: | 7µs, 45µs |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | Slotted, PC Pins |
| Konfiguracja wyjściowa: | Photodarlington |
| Inne nazwy: | H21B1GE H21B1QT H21B1QT-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 100°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole, Flange |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Optical Sensor Transmissive 0.118" (3mm) Photodarlington Slotted, PC Pins |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 50mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 40mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do H21B1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen