H11B1SR2M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla H11B1SR2M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla H11B1SR2M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup H11B1SR2M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
H11B1SR2M
- Part Number:
- H11B1SR2M
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32054 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- H11B1SR2M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 30V |
| Napięcie - Izolacja: | 4170Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Vce Nasycenie (Max): | 1V |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 25µs, 18µs |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-SMD |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-SMD, Gull Wing |
| Typ wyjścia: | Darlington with Base |
| Inne nazwy: | H11B1SR2MCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 500% @ 1mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | - |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 150mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do H11B1SR2M
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia