GRSE18-N2422 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GRSE18-N2422, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GRSE18-N2422 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GRSE18-N2422 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GRSE18-N2422
- Part Number:
- GRSE18-N2422
- Producent:
- SICK
- Opis:
- IR PHT SEN NPN LO/DO M12 MTL STR
- Wielkość zbiorów:
- 23616 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GRSE18-N2422.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Seria: | GR18 |
| Metoda pomiaru: | Through-Beam |
| Zasięg: | 590.551" (15m) |
| Czas odpowiedzi: | 500µs |
| Konfiguracja wyjściowa: | NPN |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C (TA) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| Źródło światła: | Infrared (880nm) |
| Stopień ochrony: | IP67 |
| Metoda połączenia: | Connector, M12 |
| Długość kabla: | - |
| Typ regulacji: | Adjustable, Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GRSE18-N2422
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
GRSE18-P2447 | SICK | SEN PHT PNP LO/DO M12 PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N2447 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO M12 PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P1122 | SICK | IR PHT SEN PNP LO/DO CBL MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P1142 | SICK | SEN PHT PNP LO/DO CBL 2M MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P2442 | SICK | SEN PHT PNP LO/DO M12 MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N1127 | SICK | IR PHT SEN NPN LO/DO CBL PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P2422 | SICK | IR PHT SEN PNP LO/DO M12 MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P1147 | SICK | SEN PHT PNP LO/DO CBL 2M PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18S-E1336 | SICK | SEN PHT NPN DO CAB 2M PLSTC STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18S-F2336 | SICK | SEN PHT PNP DO M12 PLSTC STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P2427 | SICK | IR PHT SEN PNP LO/DO M12 PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N1122 | SICK | IR PHT SEN NPN LO/DO CBL MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N2427 | SICK | IR PHT SEN NPN LO/DO M12 PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-P1127 | SICK | IR PHT SEN PNP LO/DO CBL PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N1147 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M PLS STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18S-F1336 | SICK | SEN PHT PNP DO CAB 2M PLSTC STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N2442 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO M12 MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18S-E1331 | SICK | SEN PHT NPN DO CAB 2M MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18-N1142 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M MTL STR | Zapytanie ofertowe |
|
GRSE18S-F2331 | SICK | SEN PHT PNP DO M12 MTL STR | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS