GP2W1001YP0F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GP2W1001YP0F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GP2W1001YP0F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GP2W1001YP0F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GP2W1001YP0F
- Part Number:
- GP2W1001YP0F
- Producent:
- Sharp Microelectronics
- Opis:
- IRDA MODULE 115.2KBPS 10SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40085 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GP2W1001YP0F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7V ~ 5.5V |
| standardy: | IrPHY 1.4 |
| Rozmiar: | 10.0mm x 4.4mm x 3.5mm |
| Zamknąć: | Yes |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Inne nazwy: | 425-2061-1 |
| Orientacja: | Side View |
| temperatura robocza: | -10°C ~ 70°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Link Range, Low Power: | 20cm, 1m |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Prąd bezczynny, Typ @ 25 ° C: | 200nA |
| szczegółowy opis: | 115.2kbs (SIR) IRDA Transceiver Side View |
| Szybkość przesyłania danych: | 115.2kbs (SIR) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GP2W1001YP0F
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku