GP2D010A065C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GP2D010A065C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GP2D010A065C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GP2D010A065C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GP2D010A065C
- Part Number:
- GP2D010A065C
- Producent:
- Global Power Technologies Group
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25247 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GP2D010A065C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.65V @ 10A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 650V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-252, (D-Pak) |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | Amp+™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 30A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 650V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 30A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 527pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GP2D010A065C
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?