GP1UM261RK0F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GP1UM261RK0F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GP1UM261RK0F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GP1UM261RK0F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GP1UM261RK0F
- Part Number:
- GP1UM261RK0F
- Producent:
- Sharp Microelectronics
- Opis:
- RECEIVER REMOTE CTRL TOP 38KHZ
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51030 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GP1UM261RK0F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5V ~ 5.5V |
| Seria: | - |
| Zasięg: | 8.5m |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 425-2006 |
| Orientacja: | Top View |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Remote Receiver Sensor, 38.0kHz 8.5m Through Hole |
| Obecny - Dostawa: | 950µA |
| B.P.F. Częstotliwość środkowa: | 38.0kHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GP1UM261RK0F
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen