GP1S036HEZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GP1S036HEZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GP1S036HEZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GP1S036HEZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GP1S036HEZ
- Part Number:
- GP1S036HEZ
- Producent:
- Sharp Microelectronics
- Opis:
- SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 39941 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GP1S036HEZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | PCB Mount |
| Typ wyjścia: | 2 Phase |
| Inne nazwy: | 425-1037-5 425-1961-5 425-1961-5-ND GP1S036HEZ0F |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Kąt operacyjny: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole, Straight |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Obecny - Wyjście: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GP1S036HEZ
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS