GNM0M2R61A104ME17D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GNM0M2R61A104ME17D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GNM0M2R61A104ME17D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GNM0M2R61A104ME17D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GNM0M2R61A104ME17D
- Part Number:
- GNM0M2R61A104ME17D
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP ARRAY 0.1UF 10V X5R 0302
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41573 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy: | X5R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.035" L x 0.024" W (0.90mm x 0.60mm) |
| Seria: | GNM |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0302 (0806 Metric) |
| Ilość Kondensatory: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.020" (0.50mm) |
| Materiał dielektryka: | Ceramic |
| szczegółowy opis: | 0.1µF Isolated Capacitor 2 Array 10V X5R 0302 (0806 Metric) |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Pojemność: | 0.1µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GNM0M2R61A104ME17D
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen