GN1114-INE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GN1114-INE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GN1114-INE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GN1114-INE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GN1114-INE3
- Part Number:
- GN1114-INE3
- Producent:
- Semtech
- Opis:
- 8G FIBER CHANNEL TX CDR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20149 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.GN1114-INE3.pdf2.GN1114-INE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.3V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-QFN |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | - |
| PLL: | - |
| Wydajność: | - |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Główny cel: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | - |
| Częstotliwość - Max: | 11.3Gbps |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | - |
| Podstawowy numer części: | GN1114 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GN1114-INE3
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED