GAP05SLT80-220 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GAP05SLT80-220, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GAP05SLT80-220 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GAP05SLT80-220 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GAP05SLT80-220
- Part Number:
- GAP05SLT80-220
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24979 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GAP05SLT80-220.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 50mA (DC) |
| Napięcie - Podział: | - |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 25pF @ 1V, 1MHz |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | 1242-1257 |
| Temperatura pracy - złącze: | 0ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | GAP05SLT80-220 |
| Rozszerzony opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole |
| Diode Configuration: | 3.8µA @ 8000V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 4.6V @ 50mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 8000V (8kV) |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GAP05SLT80-220
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM