GAP3SLT33-220FP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GAP3SLT33-220FP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GAP3SLT33-220FP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GAP3SLT33-220FP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GAP3SLT33-220FP
- Part Number:
- GAP3SLT33-220FP
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29409 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GAP3SLT33-220FP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.7V @ 300mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 3300V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220FP |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-2 Full Pack |
| Inne nazwy: | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 3300V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 300mA |
| Pojemność @ VR F: | 42pF @ 1V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | GAP3SLT33 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GAP3SLT33-220FP
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny