GA10JT12-247 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GA10JT12-247, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GA10JT12-247 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GA10JT12-247 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GA10JT12-247
- Part Number:
- GA10JT12-247
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- TRANS SJT 1.2KV 10A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37413 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GA10JT12-247.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (maks.): | - |
| Technologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247AB |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 140 mOhm @ 10A |
| Strata mocy (max): | 170W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | 1242-1187 GA10JT12247 |
| temperatura robocza: | 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rodzaj FET: | - |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V |
| szczegółowy opis: | 1200V 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GA10JT12-247
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU