G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1
- Part Number:
- G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- RELAY MINI ISO AUTO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39965 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 8 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 1 VDC |
| Termination Style: | Plug In |
| przełączanie napięcia: | 16VDC - Max |
| Seria: | G8JR |
| Czas Release: | 20ms |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1-ND G8JR-1B2T-FT01DC12BYOBI1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Czas zadziałania: | 20ms |
| Rodzaj mocowania: | Socketable |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 50A |
| Materiał styków: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| Formularz kontaktowy: | SPST-NC (1 Form B) |
| Napięcie cewki: | 12VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 64.5 Ohms |
| cewka zasilania: | 2 W |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen