G6KU-2G-Y-TR DC3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla G6KU-2G-Y-TR DC3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla G6KU-2G-Y-TR DC3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup G6KU-2G-Y-TR DC3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
G6KU-2G-Y-TR DC3
- Part Number:
- G6KU-2G-Y-TR DC3
- Producent:
- Omron
- Opis:
- RELAY TELECOM DPDT 1A 125V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51424 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- G6KU-2G-Y-TR DC3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 2.25 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | J Lead |
| przełączanie napięcia: | 125VAC, 60VDC - Max |
| Seria: | G6K |
| Czas Release: | 3ms |
| Relay Type: | Telecom |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Inne nazwy: | G6K 1422M G6K 3067E G6KU-2G-Y-TR DC3 BY OMR G6KU-2G-Y-TRDC3 G6KU2GYTRDC3 G6KU2GYTRDC3BYOMR G6KU2GYTRDC3BYOMZ |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 70°C |
| Czas zadziałania: | 3ms |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 1A |
| Materiał styków: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| Formularz kontaktowy: | DPDT (2 Form C) |
| Napięcie cewki: | 3VDC |
| Coil Type: | Latching, Single Coil |
| Coil Resistance: | 91 Ohms |
| cewka zasilania: | 100 mW |
| Aktualny Coil: | 33.0mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do G6KU-2G-Y-TR DC3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia