FUTS3-20/A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FUTS3-20/A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FUTS3-20/A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FUTS3-20/A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FUTS3-20/A
- Part Number:
- FUTS3-20/A
- Producent:
- Carlo Gavazzi
- Opis:
- FIBER TB 2.2 M3 2M
- Wielkość zbiorów:
- 41381 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FUTS3-20/A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | FU |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FUTS3-20/A
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM