FT24C16A-UDR-B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FT24C16A-UDR-B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FT24C16A-UDR-B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FT24C16A-UDR-B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FT24C16A-UDR-B
- Part Number:
- FT24C16A-UDR-B
- Producent:
- Fremont Micro Devices
- Opis:
- IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 8DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48837 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FT24C16A-UDR-B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 5ms |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | EEPROM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 1219-1048 FT24C16AUDRB |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Kb (2K x 8) |
| Interfejs pamięci: | I²C |
| Format pamięci: | EEPROM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | EEPROM Memory IC 16Kb (2K x 8) I²C 1MHz 550ns 8-DIP |
| Częstotliwość zegara: | 1MHz |
| Czas dostępu: | 550ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FT24C16A-UDR-B
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?