FR6B02 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FR6B02, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FR6B02 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FR6B02 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FR6B02
- Part Number:
- FR6B02
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22764 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.FR6B02.pdf2.FR6B02.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 6A |
| Napięcie - Podział: | DO-4 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Inne nazwy: | FR6B02GN |
| Temperatura pracy - złącze: | 200ns |
| Rodzaj mocowania: | Chassis, Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | FR6B02 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 100V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Diode Configuration: | 25µA @ 50V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.4V @ 6A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FR6B02
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego