FP1309B1-R150-R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FP1309B1-R150-R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FP1309B1-R150-R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FP1309B1-R150-R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FP1309B1-R150-R
- Part Number:
- FP1309B1-R150-R
- Producent:
- Bussmann (Eaton)
- Opis:
- 1IND FERRITE TYPE, 150NH,80A, 2P
- Wielkość zbiorów:
- 27704 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FP1309B1-R150-R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.504" L x 0.327" W (12.80mm x 8.30mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | FP1309 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 150nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.346" (8.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 150nH Unshielded Inductor 60A 0.19 mOhm Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 0.19 mOhm |
| Aktualna ocena: | 60A |
| Obecny - Nasycenie: | 64A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FP1309B1-R150-R
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM