FM25V10-GTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FM25V10-GTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FM25V10-GTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FM25V10-GTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FM25V10-GTR
- Part Number:
- FM25V10-GTR
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52146 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FM25V10-GTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | F-RAM™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 428-3545-2 FM25V10-GTRRA FM25V10-GTRRA-ND FM25V10GTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | FRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-SOIC |
| Częstotliwość zegara: | 40MHz |
| Podstawowy numer części: | FM25V10 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FM25V10-GTR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC