FM25V10-GTR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FM25V10-GTR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FM25V10-GTR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FM25V10-GTR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FM25V10-GTR
- Part Number:
- FM25V10-GTR
- Výrobce:
- Cypress Semiconductor
- Popis:
- IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 52146 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FM25V10-GTR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 2 V ~ 3.6 V |
| Technika: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | F-RAM™ |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | 428-3545-2 FM25V10-GTRRA FM25V10-GTRRA-ND FM25V10GTR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 1Mb (128K x 8) |
| Paměťové rozhraní: | SPI |
| Formát paměti: | FRAM |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-SOIC |
| Frekvence hodin: | 40MHz |
| Číslo základní části: | FM25V10 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FM25V10-GTR
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC