FGA25N120ANTDTU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FGA25N120ANTDTU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FGA25N120ANTDTU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FGA25N120ANTDTU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FGA25N120ANTDTU
- Part Number:
- FGA25N120ANTDTU
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 1200V 50A 312W TO3P
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41013 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FGA25N120ANTDTU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.65V @ 15V, 50A |
| Stan testu: | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 50ns/190ns |
| Przełączanie Energy: | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-3P |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 350ns |
| Moc - Max: | 312W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Inne nazwy: | FGA25N120ANTDTU_NL FGA25N120ANTDTU_NL-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT and Trench |
| brama Charge: | 200nC |
| szczegółowy opis: | IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 90A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 50A |
| Podstawowy numer części: | FGA25N120A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FGA25N120ANTDTU
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia