FF600R12IE4PNOSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FF600R12IE4PNOSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FF600R12IE4PNOSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FF600R12IE4PNOSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FF600R12IE4PNOSA1
- Part Number:
- FF600R12IE4PNOSA1
- Opis:
- MOD IGBT MED PWR PRIME2-1
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42735 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FF600R12IE4PNOSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.05V @ 15V, 600A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 3350W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | FF600R12IE4P SP001590524 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 37nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Trench Field Stop |
| szczegółowy opis: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 600A 3350W Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 5mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 600A |
| Konfiguracja: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FF600R12IE4PNOSA1
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego