FF1000R17IE4DPB2BOSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FF1000R17IE4DPB2BOSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FF1000R17IE4DPB2BOSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FF1000R17IE4DPB2BOSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
- Part Number:
- FF1000R17IE4DPB2BOSA1
- Opis:
- IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
- Wielkość zbiorów:
- 56959 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FF1000R17IE4DPB2BOSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1700V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | FF1000R17IE4DP_B2 FF1000R17IE4DP_B2-ND SP001089922 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 81nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Trench Field Stop |
| szczegółowy opis: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 1000A Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 5mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 1000A |
| Konfiguracja: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen