FDG6321C-F169 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FDG6321C-F169, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FDG6321C-F169 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FDG6321C-F169 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FDG6321C-F169
- Part Number:
- FDG6321C-F169
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- INTEGRATED CIRCUIT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47548 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FDG6321C-F169.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Moc - Max: | 300mW |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 50pF @ 10V, 62pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 25V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA (Ta), 410mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDG6321C-F169
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego