FDC1004DGSR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FDC1004DGSR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FDC1004DGSR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FDC1004DGSR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FDC1004DGSR
- Part Number:
- FDC1004DGSR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC CAPACITIVE SENSING 4CH 10WSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42986 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FDC1004DGSR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Proximity Only |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-VSSOP |
| Seria: | - |
| Rozkład: | 16 b |
| Wykrywanie bliskości: | Yes |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-48544-2 FDC1004DGSR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kanały sterowników LED: | - |
| Berło: | I²C |
| szczegółowy opis: | Capacitive Touch Proximity Only 10-VSSOP |
| Obecny - Dostawa: | 750µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDC1004DGSR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen