FC3BQBBME12.0-T3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FC3BQBBME12.0-T3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FC3BQBBME12.0-T3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FC3BQBBME12.0-T3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FC3BQBBME12.0-T3
- Part Number:
- FC3BQBBME12.0-T3
- Producent:
- Fox Electronics
- Opis:
- CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29244 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FC3BQBBME12.0-T3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | FQ3225B |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-SMD, No Lead |
| Inne nazwy: | 631-1254-2 FC3BQBBME12.0 FQ3225B-12 FQ3225B-12.000 FQ3225B12 |
| temperatura robocza: | -10°C ~ 70°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| pojemność obciążenia: | 20pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.043" (1.10mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±50ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±50ppm |
| Częstotliwość: | 12MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 120 Ohms |
| szczegółowy opis: | 12MHz ±50ppm Crystal 20pF 120 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FC3BQBBME12.0-T3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia