FBR06HA850NA-00 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FBR06HA850NA-00, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FBR06HA850NA-00 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FBR06HA850NA-00 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FBR06HA850NA-00
- Part Number:
- FBR06HA850NA-00
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FERRITE BEAD 85 OHM RADIAL 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45935 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FBR06HA850NA-00.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.236" Dia (6.00mm) |
| Seria: | FB |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 587-5850 FB FBR06HA850NA-00 FBR06HA850NA-00-ND FBR06HA850NA00 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 85 Ohms @ 50MHz |
| Wysokość (max): | 0.197" (5.00mm) |
| Rodzaj filtra: | - |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 10 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 7A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FBR06HA850NA-00
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia