FA24NP02W221JNU06 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FA24NP02W221JNU06, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FA24NP02W221JNU06 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FA24NP02W221JNU06 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FA24NP02W221JNU06
- Part Number:
- FA24NP02W221JNU06
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 220PF 450V NP0 RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58697 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.FA24NP02W221JNU06.pdf2.FA24NP02W221JNU06.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 450V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | C0G, NP0 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.118" W (4.50mm x 3.00mm) |
| Seria: | FA |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 445-174964-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Lead Style: | Formed Leads |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| cechy: | High Temperature |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 220pF ±5% 450V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| Pojemność: | 220pF |
| Aplikacje: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FA24NP02W221JNU06
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił