F44D-10GGI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla F44D-10GGI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla F44D-10GGI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup F44D-10GGI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
F44D-10GGI
- Part Number:
- F44D-10GGI
- Producent:
- TT Electronics
- Opis:
- RES HIGH VOLTAGE 10G OHM 2% 1.3W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44837 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- F44D-10GGI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | High Voltage |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | -2000ppm/°C |
| Seria: | F |
| Tryb panel: | 10 GOhms |
| Moc (W): | 1.3W |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | F44D-10G0GI F44D-10G0GI-ND Q6953779 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 100°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 10 GOhms ±2% 1.3W High Voltage Specialized Resistor Thick Film -2000ppm/°C Through Hole |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do F44D-10GGI
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU