ESTW036A0F41-SZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ESTW036A0F41-SZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ESTW036A0F41-SZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ESTW036A0F41-SZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ESTW036A0F41-SZ
- Part Number:
- ESTW036A0F41-SZ
- Producent:
- GE Critical Power
- Opis:
- DC DC CONVERTER 3.3V 120W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29128 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ESTW036A0F41-SZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 3.3V |
| Napięcie - Izolacja: | 2.25kV |
| Napięcie - Wejście (Min): | 36V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 75V |
| Rodzaj: | Isolated Module |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.30" L x 0.90" W x 0.35" H (58.4mm x 22.9mm x 8.9mm) |
| Seria: | Barracuda™ ESTW036A0F |
| Moc (W): | 120W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 8-SMD Module, 1/8 Brick |
| Inne nazwy: | 150037207 ESTW036A0F41SZ |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO |
| Wydajność: | 91.5% |
| szczegółowy opis: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 3.3V 36A 36V - 75V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 36A |
| Funkcje sterowania: | Enable, Active Low |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ESTW036A0F41-SZ
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia