ERT-J0EG103FA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ERT-J0EG103FA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ERT-J0EG103FA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ERT-J0EG103FA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ERT-J0EG103FA
- Part Number:
- ERT-J0EG103FA
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0402
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25917 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ERT-J0EG103FA.pdf2.ERT-J0EG103FA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | ERT-J |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 10k |
| Tolerancja rezystancji: | ±1% |
| Moc - Max: | 66mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | P12007CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Długość - Drut Ołowiany: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 10k 0402 (1005 Metric) |
| B25 / 85: | 3435K |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | 3380K |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ERT-J0EG103FA
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen