ERA-6EEB2100V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ERA-6EEB2100V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ERA-6EEB2100V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ERA-6EEB2100V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ERA-6EEB2100V
- Part Number:
- ERA-6EEB2100V
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- RESISTOR METAL FILM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20353 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ERA-6EEB2100V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±25ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | ERA-6E |
| Tryb panel: | 210 Ohms |
| Moc (W): | 0.125W, 1/8W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | ERA6EEB2100V |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 210 Ohms ±0.1% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ERA-6EEB2100V
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen