EP2AGZ225FF35C4N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EP2AGZ225FF35C4N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EP2AGZ225FF35C4N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EP2AGZ225FF35C4N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EP2AGZ225FF35C4N
- Part Number:
- EP2AGZ225FF35C4N
- Opis:
- IC FPGA 554 I/O 1152FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26317 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.87 V ~ 0.93 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 14248960 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1152-FBGA (35x35) |
| Seria: | Arria II GZ |
| Package / Case: | 1152-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 224000 |
| Ilość Labs / CLBs: | 8960 |
| Liczba I / O: | 554 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | EP2AGZ225 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EP2AGZ225FF35C4N
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia