EMZR350ADA151MF80G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EMZR350ADA151MF80G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EMZR350ADA151MF80G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EMZR350ADA151MF80G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EMZR350ADA151MF80G
- Part Number:
- EMZR350ADA151MF80G
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP POLY 150UF 20% 35V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48202 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EMZR350ADA151MF80G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | 150µF |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| Seria: | Alchip™- MZR |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | Automotive |
| tętnienia prądu: | Polar |
| Polaryzacja: | Radial, Can - SMD |
| Pitch - Złącze: | 35V |
| Package / Case: | 0.260" L x 0.260" W (6.60mm x 6.60mm) |
| Inne nazwy: | 565-4321-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Ilość Kondensatory: | 240mA @ 120Hz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | EMZR350ADA151MF80G |
| Żywotność @ Temp.: | 160 mohm @ 100kHz |
| Impedancja: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.315" (8.00mm) |
| Rozszerzony opis: | 150µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 160 mohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP POLY 150UF 20% 35V SMD |
| Aplikacje: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EMZR350ADA151MF80G
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash