ELL-VGG3R9N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ELL-VGG3R9N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ELL-VGG3R9N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ELL-VGG3R9N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ELL-VGG3R9N
- Part Number:
- ELL-VGG3R9N
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- FIXED IND 3.9UH 1A 150 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59370 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ELL-VGG3R9N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±30% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | G |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | PCD2301CT |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 3.9µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.059" (1.50mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 1A 150 mOhm Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 150 mOhm |
| Aktualna ocena: | 1A |
| Obecny - Nasycenie: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ELL-VGG3R9N
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen