EG-2121CA 125.0000M-LHPAB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EG-2121CA 125.0000M-LHPAB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EG-2121CA 125.0000M-LHPAB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EG-2121CA 125.0000M-LHPAB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EG-2121CA 125.0000M-LHPAB
- Part Number:
- EG-2121CA 125.0000M-LHPAB
- Producent:
- Epson
- Opis:
- OSC SO 125.000MHZ LVDS SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26447 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5V |
| Rodzaj: | SO (SAW) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Seria: | EG-2121CA |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Strip |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVDS |
| Inne nazwy: | 820465 EG-2121CA125.0000M-LHPAB EG2121CA125.0000MLHPAB EG2121CA1250000MLHPAB Q3805CA10000301 SER3661 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.055" (1.40mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | ±100ppm |
| Częstotliwość: | 125MHz |
| szczegółowy opis: | 125MHz SO (SAW) LVDS Oscillator 2.5V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 30mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 20mA |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EG-2121CA 125.0000M-LHPAB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia