EFM8BB31F64G-B-QFP32R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EFM8BB31F64G-B-QFP32R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EFM8BB31F64G-B-QFP32R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EFM8BB31F64G-B-QFP32R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EFM8BB31F64G-B-QFP32R
- Part Number:
- EFM8BB31F64G-B-QFP32R
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC MCU 8BIT 64KB FLASH 32QFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49944 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EFM8BB31F64G-B-QFP32R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.2 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFP (7x7) |
| Prędkość: | 50MHz |
| Seria: | Busy Bee |
| Wielkość pamięci RAM: | 4.25K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 64KB (64K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 32-TQFP |
| Inne nazwy: | 336-5181-6 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 28 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | CIP-51 8051 Busy Bee Microcontroller IC 8-Bit 50MHz 64KB (64K x 8) FLASH 32-QFP (7x7) |
| Konwertery danych: | A/D 20x12b, D/A 4x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 8-Bit |
| Core Processor: | CIP-51 8051 |
| Łączność: | I²C, SMBus, SPI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EFM8BB31F64G-B-QFP32R
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia