EEU-ED2G680 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EEU-ED2G680, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EEU-ED2G680 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EEU-ED2G680 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EEU-ED2G680
- Part Number:
- EEU-ED2G680
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP ALUM 68UF 20% 400V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41069 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EEU-ED2G680.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | 68µF |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.295" (7.50mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.709" Dia (18.00mm) |
| Seria: | ED |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| tętnienia prądu: | Polar |
| Polaryzacja: | Radial, Can |
| Pitch - Złącze: | 400V |
| Package / Case: | - |
| Inne nazwy: | EEUED2G680 P13547 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Ilość Kondensatory: | 480mA @ 120Hz |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | EEU-ED2G680 |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Impedancja: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.240" (31.50mm) |
| Rozszerzony opis: | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP ALUM 68UF 20% 400V RADIAL |
| Aplikacje: | 10000 Hrs @ 105°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EEU-ED2G680
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia